溅射靶材：溅射是一种先进的薄膜材料制备技术, 它利用离子源产生的离子, 在真空中加速聚集成高速离子流, 轰击固体表面, 离子和固体表面的原子发生动能交换, 使固体表面的原子离开靶材并沉积在基材表面, 从而形成纳米(或微米)薄膜。而被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的原材料, 称为溅射靶材。钨钼溅射靶可在各类基材上形成薄膜, 这种溅射膜广泛用作电子部件和电子产品, 如目前广泛应用的TFT - LCD ( Thin Film Transitor- Liqu id C rysta l Displays, 薄膜半导体管-液晶显示器)、等离子显示屏、无机光发射二极管显示器、场发射显示器、薄膜太阳能电池、传感器、半导体装置以及具有可调谐功函数CMOS(互补金属氧化物半导体)的场效应晶体管栅极等 。 　　衡量靶材的质量主要因素有 纯度、致密度、晶粒尺寸及分布等。 　　为保证靶材质量： 　　(1)选择高纯钼粉作为原料; 　　(2)快速致密化的成形烧结技术, 以保证靶材的低孔隙率, 并控制晶粒度; 　　(3)制备过程严格控制杂质元素的引入; 　　(4)对部分高要求产品采用热等静压方法，此方法制得的钼铌靶材了95%～99%的较高密度细晶粒产品。 　

MOCVD:金属有机物化学气相沉积(简称MOCVD)是技术生长III-V族，II-VI族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。用氢气或氮气作为载气，通入液体中携带出蒸汽，与V族的氢化物(如NH3、PH3、AsH3)混合，通入反应室，在加热的衬底表面发生反应，外延生长化合物晶体薄膜。 　　LED的发光核心是一种称为外延片(Epitaxial Slice)的复合材料，由于Mocvd技术在外延片上的成功运用，使得此种设备使用量迅速增加。 　　由于MOCVD设备工作时工作温度高于2000℃，钨钼也是该设备部分组件的材料。